DRAM-markkinoiden siirtyessä vakaasti kohti DDR4-muistia useat keskeiset valmistajat ovat jo ilmoittaneet lopettavansa tiheään pakattuihin 8 Gbit:n DDR3-komponentteihin perustuvien DDR3-moduulien tuotannon (EOL) sekä antaneet komponenttien tuotannon lopettamista koskevan ilmoituksen. Merkittävä määrä verkko- ja sulautettujen järjestelmien alojen asiakkaita ei kuitenkaan vieläkään pysty siirtymään uusimpaan sukupolveen, vaan jatkaa vanhojen järjestelmien käyttöä, jotka vaativat erityisiä DDR3-muistia, kuten VLP RDIMM-moduuleja tai tiheäpakkauksisia SO-DIMM-moduuleja. Estääkseen toimitusvajeen, joka voisi vaikuttaa haitallisesti näiden asiakkaiden liiketoimintaan, ATP on päättänyt tarjota omia DDR3 8 Gbit -komponenttejaan näihin moduuleihin.

ATP:n avulla rakennettu, karakterisoitu ja testattu piirilevyistä moduuleihin

ATP:n itse valmistamat DDR3-moduulit koostuvat huolellisesti karakterisoiduista ja testatuista korkealaatuisista integroiduista piireistä (IC). Komponentit valmistetaan ATP:n tiukkojen standardien mukaisesti käyttäen 2x nm:n valmistusprosessiteknologiaa, ja ne testataan kattavan komponenttitestausohjelman avulla muistimoduulin kokonaistehokkuuden parantamiseksi. ATP:n DDR3 8 Gbit -komponentit ovat vapaita row hammer -ilmiöistä, mikä estää katastrofaaliset satunnaiset bittikäännöt, jotka johtuvat solujen sähkövarauksen vuotamisesta viereisiin soluihin ja tietojen peräkkäisestä kirjoittamisesta niihin. Moduulitason osalta ATP on ottanut tuotantoprosessiin käyttöön 100-prosenttisen testauksen burn-in-vaiheessa (TDBI) korkealaatuisten moduulien takaamiseksi.