I takt med att DRAM-marknaden gradvis övergår till DDR4-minne har flera ledande tillverkare redan meddelat att produktionen av DDR3-moduler baserade på DDR3-komponenter med hög densitet (8 Gbit) kommer att upphöra (EOL), inklusive EOL-meddelanden för själva komponenterna. Ett stort antal kunder inom nätverks- och inbyggda systembranscherna kan dock fortfarande inte byta till den senaste generationen och fortsätter att använda äldre system som kräver specifikt DDR3-minne, såsom VLP RDIMM eller SO-DIMM med hög densitet. För att förhindra en leveransbrist som skulle kunna påverka dessa kunders affärsverksamhet negativt har ATP beslutat att tillhandahålla egna DDR3-komponenter på 8 Gbit för dessa moduler.

Tillverkad, karakteriserad och testad av ATP – från integrerad krets till modul

ATPs egenutvecklade DDR3-moduler består av noggrant karakteriserade och testade integrerade kretsar (IC) av hög kvalitet. Komponenterna tillverkas enligt ATPs strikta standarder med hjälp av 2x nm-tillverkningsteknik och testas genom ett omfattande komponenttestprogram för att förbättra minnesmodulens totala prestanda. ATP:s DDR3-komponenter på 8 Gbit är fria från så kallade ”row hammer”-effekter, vilket förhindrar katastrofala slumpmässiga bitväxlingar orsakade av att elektrisk laddning från celler läcker över till angränsande celler och successivt skriver data till dem. På modulnivå implementerar ATP 100-procentig testning under inbränning (TDBI) i produktionsflödet för att garantera en modul av hög kvalitet.