W miarę jak rynek pamięci DRAM stopniowo przechodzi na pamięć DDR4, kilku kluczowych producentów ogłosiło już zakończenie produkcji (EOL) modułów DDR3 opartych na komponentach DDR3 o wysokiej gęstości (8 Gbit), w tym poinformowało o wycofaniu tych komponentów z rynku. Jednak znaczna liczba klientów z branży sieciowej i systemów wbudowanych nadal nie jest w stanie przejść na najnowszą generację i nadal korzysta ze starszych systemów wymagających konkretnych rodzajów pamięci DDR3, takich jak moduły VLP RDIMM lub moduły SO-DIMM o wysokiej gęstości. Aby zapobiec niedoborom dostaw, które mogłyby negatywnie wpłynąć na działalność tych klientów, firma ATP podjęła decyzję o dostarczaniu własnych komponentów DDR3 8 Gbit do tych modułów.

Wyprodukowane, scharakteryzowane i przetestowane przez firmę ATP — od układów scalonych po moduły

Moduły DDR3 własnej produkcji firmy ATP składają się ze starannie scharakteryzowanych i przetestowanych układów scalonych (IC) wysokiej jakości. Komponenty te są wytwarzane zgodnie z rygorystycznymi standardami firmy ATP przy użyciu technologii procesowej 2x nm i poddawane kompleksowemu programowi testowemu w celu poprawy ogólnej wydajności modułów pamięci. Komponenty ATP DDR3 8 Gbit są odporne na efekt „row hammer”, co zapobiega katastrofalnym, losowym odwróceniom bitów spowodowanym wyciekiem ładunku elektrycznego z komórek do komórek sąsiednich i kolejnym zapisywaniem danych w tych komórkach. Na poziomie modułów firma ATP wdraża w procesie produkcyjnym 100-procentowe testy podczas okresu wygrzewania (TDBI), aby zagwarantować wysoką jakość modułów.