Kuna DRAM-turg liigub järk-järgult üle DDR4-mälule, on mitmed peamised tootjad juba teatanud kõrge tihedusega DDR3 8 Gbit komponentidel põhinevate DDR3-moodulite tootmise lõpetamisest (EOL), sealhulgas ka komponentide tootmise lõpetamise teate. Siiski ei suuda märkimisväärne hulk võrgu- ja sisseehitatud süsteemide valdkonna kliente veel uuele põlvkonnale üle minna ning kasutavad jätkuvalt vanu süsteeme, mis nõuavad spetsiifilist DDR3-mälu, nagu näiteks VLP RDIMM-id või suure tihedusega SO-DIMM-id. Et vältida tarnepuudust, mis võiks negatiivselt mõjutada nende klientide äritegevust, on ATP otsustanud pakkuda nende moodulite jaoks omaenda DDR3 8 Gbit komponente.

ATP-põhine, iseloomustatud ja testitud alates integraallülitusest kuni moodulini

ATP enda toodetud DDR3-moodulid koosnevad hoolikalt iseloomustatud ja testitud kõrgekvaliteedilistest integraallülitustest (IC). Komponendid on valmistatud vastavalt ATP rangetele standarditele, kasutades 2x nm tootmisprotsessitehnoloogiat, ning neid testitakse ulatusliku komponentide testimisprogrammi raames, et parandada mälumooduli üldist jõudlust. ATP DDR3 8 Gbit komponentidel puudub rida-haamri efekt, mis hoiab ära katastroofilised juhuslikud bitipööramised, mille põhjustab rakkude elektrilaengu leke naaberrakkudesse ja sellele järgnev andmete kirjutamine neisse. Moodulitasandil rakendab ATP tootmisprotsessis 100% testimist sissetöötamise ajal (TDBI), et tagada mooduli kõrge kvaliteet.