A medida que el mercado de la DRAM va migrando poco a poco a la memoria DDR4, varios fabricantes clave ya han anunciado el fin de la vida útil (EOL) de los módulos DDR3 basados en componentes DDR3 de alta densidad de 8 Gbit, incluyendo el aviso de fin de vida útil de dichos componentes. Sin embargo, un número considerable de clientes de los sectores de redes y sistemas embebidos aún no pueden dar el salto a la última generación y siguen utilizando sistemas antiguos que requieren memorias DDR3 específicas, como los RDIMM VLP o los SO-DIMM de alta densidad. Para evitar una escasez de suministro que pudiera afectar negativamente a las operaciones comerciales de estos clientes, ATP ha decidido ofrecer sus propios componentes DDR3 de 8 Gbit para estos módulos.

Fabricado, caracterizado y probado por ATP, desde el circuito integrado hasta el módulo

Los módulos DDR3 fabricados por ATP están compuestos por circuitos integrados (CI) de alta calidad, meticulosamente caracterizados y probados. Los componentes se fabrican siguiendo los exigentes estándares de ATP mediante una tecnología de proceso de fabricación de 2x nm y se someten a un exhaustivo programa de pruebas para mejorar el rendimiento general del módulo de memoria. Los componentes DDR3 de 8 Gbit de ATP están libres del efecto «row hammer», lo que evita cualquier cambio aleatorio y desastroso de bits causado por la fuga de carga eléctrica de unas celdas a otras adyacentes y la escritura sucesiva de datos en ellas. A nivel de módulo, ATP incorpora pruebas al 100 % durante el periodo de rodaje (TDBI) en el flujo de producción para garantizar un módulo de alta calidad.